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参数目录42432
> RUM002N05T2L MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT
型号:
RUM002N05T2L
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
RUM002N05T2L PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
25pF @ 10V
功率 - 最大
150mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-723
供应商设备封装
VMT3
包装
标准包装
其它名称
RUM002N05T2LDKR
查看RUM002N05T2L代理商
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